Das Leckstrom-Messgerät LCM 625 wurde zur Messung von Gate-Leckströmen an MOS-Transistoren als Serienmessung beim Herstellungsprozess konzipiert.
Zur Beschleunigung der Messung wird dabei die Gate Kapazität (Bereich ≤ 100 nF) erst niederohmig auf Prüfspannung geladen und anschließend der Reststrom gemessen.
Der Leckstrom wird mittels Displays angezeigt.
Nach Beendigung der Messung wird der letzte Messwert angezeigt und auf Anfrage übertragen.
Die Prüfspannung ist im Bereich 30,0 V bis +30,0 V einstellbar. Der Einstellbereich für die Messdauer liegt zwischen 100 ms und 5 s.
Ein weiteres Display zeigt die beiden Testparameter Prüfspannung und Messdauer an.
Eine Datenerfassungssoftware für die Dokumentation und statistische Auswertung von Testreihen steht zur Verfügung.