Thermische Langzeituntersuchungen zum Verhalten von Dioden, IGBT- und MOSFET-Modulen
Mit Hilfe des Testsystems TLW 813 soll das Verhalten von IGBT- und MOSFET-Modulen sowie Dioden bei wechselnder Last und Sperrschichttemperatur der Bauelemente in einem Langzeit-Versuch untersucht werden.
Bei diesem Test wird ein hoher Durchlassstrom abwechselnd ein- und ausgeschaltet, so dass sich periodisch hohe Änderungen der Temperatur und des Temperaturgradienten im Inneren des Testobjekts ergeben.
Bei langer Dauer dieser Beanspruchung können sich am Halbleiterelement Veränderungen ergeben, die sich im Durchlassspannungsabfall, im inneren Wärmewiderstand und im Verlust der Gate- Steuerbarkeit äußern (Beschädigung der Lötung, Lösung von Bondungen).
Die Bedienung der Anlage erfolgt über einen integrierten PC, der mit der SPS- Steuerung über eine Netzwerkschnittstelle verbunden ist.
Die SPS steuert den Versuchsablauf und zeichnet Messdaten auf. Wird die Verbindung zwischen SPS und der Software auf dem PC während eines aktiven Versuches getrennt, setzt sich die Datenaufzeichnung auf der SPS fort. Bei erneuter Verbindung wird der Puffer auf den PC übertragen.