Thermische Langzeituntersuchungen zum Verhalten von MOSFET-, IGBT-Bauteilen und Dioden
Mit Hilfe des Testsystems TLW 820 soll das Verhalten von MOSFET-, IGBT- Bauteilen und Dioden bei wechselnder Last und Sperrschichttemperatur der Bauelemente in einem Langzeit-Versuch untersucht werden.
Bei diesem Test wird ein hoher Durchlassstrom abwechselnd ein- und ausgeschaltet, so dass sich periodisch hohe Änderungen der Temperatur und des Temperaturgradienten im Inneren des Testobjekts ergeben.
Bei langer Dauer dieser Beanspruchung können sich am Halbleiterelement Veränderungen ergeben, die sich im Durchlassspannungsabfall, im inneren Wärmewiderstand und im Verlust der Gate-Steuerbarkeit äußern (Beschädigung der Lötung, Lösung von Bondungen).
Die Bedienung der Anlage erfolgt ausschließlich über einen integrierten PC, der mit der SPS- Steuerung über eine Netzwerkschnittstelle verbunden ist.
Ein schnelles Eingreifen bei Versuchsunterbrechungen und damit eine Reduzierung der Standzeit der Anlage kann durch die Option, Mails an eine hinterlegte Adresse zu senden, erreicht werden.